名古屋工業大学
先進セラミックス研究センター
井田 隆
名古屋工業大学 環境材料工学科 3 年次授業「マテリアルデザイン」の講義ノートです。
ダイナミック・メモリ回路から値を読み出すためには, ワード線 W 電圧を上げて,その間にビット線 B に流れ出る電流を検出してやります。 キャパシタに電荷がたまっていれば(記憶が「1」であれば)ビット線に電流が流れ出し(図 2.13), キャパシタに電荷がたまっていなければ(記憶が「0」であれば)ビット線には電流が流れ出ません。
図 2.13
ダイナミック・メモリ回路からデータを読み出す。
ワード線 W を 5 V としてビット線 B を検出回路に接続する。
キャパシタからビット線に電荷が流れ出せば
記憶が「1」だったということがわかり,電荷が流れ出さなければ記憶が「0」だったことがわかる。
2011年4月17日公開
2013年4月13日更新