名古屋工業大学
先進セラミックス研究センター
井田 隆
名古屋工業大学 環境材料工学科 3 年次授業「マテリアルデザイン」の講義ノートです。
ダイナミック・メモリは， 読み出しを行わない場合でもキャパシタが徐々に放電して記憶が失われてしまいます。 そこで，データを書き込んでから一定の時間が経過したら， 一度データを読み出して，書き込み直す操作が必要になります。 この操作のことをリフレッシュ refresh と呼びます。 最近のメモリ素子では１秒間に十万回 (10 μs に一回) ていどリフレッシュ操作が行われます。
図 2.16
キャパシタは徐々に放電するので，ダイナミック・メモリの記憶は一定の時間が経過すると失われる。
図 2.17
ダイナミック・メモリでは，一定の時間間隔でデータの読み出しと再書き込み（リフレッシュ）操作が行われる。
2011年4月17日公開
2013年4月17日更新